IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）中文稱為絕緣柵雙極型晶體管，是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)制造、4C（通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子）、航空航天、國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。這些行業(yè)對(duì)于器件的使用壽命和可靠性具有極高的要求。

IGBT熱阻特性的研究對(duì)于延長(zhǎng)器件使用壽命，提高器件可靠性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。目前測(cè)試IGBT熱阻參數(shù)的方法多為熱敏參數(shù)法，該方法的優(yōu)勢(shì)在于操作簡(jiǎn)單方便，對(duì)硬件要求低。熱敏參數(shù)法需要測(cè)量器件的殼溫，而IGBT器件封裝尺寸較大，測(cè)量過(guò)程中的誤差因素多，導(dǎo)致殼溫的準(zhǔn)確性較差，熱阻結(jié)果誤差大且測(cè)試可重復(fù)性差。

與傳統(tǒng)的熱敏參數(shù)法相比，JESD51-14標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測(cè)試法具有更高的準(zhǔn)確性和重現(xiàn)性，而T3Ster是目前全球唯一滿足此測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的儀器。通過(guò)使用T3Ster對(duì)IGBT器件進(jìn)行測(cè)試，可以獲得器件的結(jié)溫瞬態(tài)變化過(guò)程曲線，得到穩(wěn)態(tài)的結(jié)殼熱阻數(shù)據(jù)，還可以通過(guò)器件結(jié)構(gòu)函數(shù)分析一維散熱路徑上各層材料的熱阻值。

貝思科爾近期推出了“IGBT器件結(jié)殼熱阻測(cè)試”視頻案例。本視頻重點(diǎn)介紹了MicReD T3Ster測(cè)試原理、IGBT熱特性測(cè)試操作步驟以及測(cè)試數(shù)據(jù)處理等內(nèi)容。通過(guò)對(duì)測(cè)試過(guò)程的詳細(xì)介紹，讓大家系統(tǒng)了解通過(guò)T3Ster獲取IGBT的結(jié)殼熱阻以及結(jié)構(gòu)函數(shù)的步驟流程。

“IGBT器件結(jié)殼熱阻測(cè)試”視頻案例

貝思科爾實(shí)驗(yàn)室介紹

貝思科爾公司和北京大學(xué)聯(lián)合建設(shè)的半導(dǎo)體熱可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立于2019年10月，位于深圳市南山區(qū)。

實(shí)驗(yàn)室配置：T3Ster熱阻測(cè)試儀、DynTIM界面材料導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀、Julabo溫控循環(huán)儀等硬件設(shè)備，以及Flotherm、FloEFD、Flomaster、HyperLynx、Star CCM+等仿真軟件。

實(shí)驗(yàn)室宗旨：為芯片半導(dǎo)體、LED、OLED、MOSFET、IGBT、IPM等領(lǐng)域廣大客戶提供測(cè)試、建模（模型校準(zhǔn)）與仿真咨詢服務(wù)。

面向行業(yè)：新能源/汽車/軌道交通、家電/通信；半導(dǎo)體IC、功率器件、IGBT、IPM、光電集成、OLED等。

我們的服務(wù)：

1 軟硬件產(chǎn)品銷售及技術(shù)支持服務(wù)；

2 熱流仿真分析及設(shè)計(jì)顧問(wèn)服務(wù)；

3 元器件的熱阻、功率循環(huán)等測(cè)試服務(wù)。

歡迎大家前來(lái)咨詢、參觀！！！

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