行業(yè)內(nèi)的都知道導熱硅膠片有多種導熱系數(shù)，不同的導熱系數(shù)其導熱性能也不同，那么怎么來測試其導熱系數(shù)呢，目前在導熱硅膠片行業(yè)中導熱系數(shù)及其導熱性能測試方法中主要有三種主流方法：熱板法(Hot Plate)/熱流計法(Heat Flow Meter)、激光散光法(Laser Flash)和Hot Disk(TPS技術(shù))。

1. 熱板法(Hot Plate)/熱流計法(Heat Flow Meter)穩(wěn)態(tài)法，原理是Fourier傳熱方程式計算法：
　dQ=-λdA·dt/dn
　其中：式中 Q-----導熱速率，w;
　　     A------導熱面積，m2;
　　     dt/dn-----溫度梯度，K/m;
　　     λ------導熱系數(shù)，w/m·K;
  測試過程中對樣品施加一定的熱流量，測試樣品的厚度和在熱板/冷板間的溫度差，得到樣品的導熱系數(shù)，測試過程中需要樣品為常規(guī)形狀的大塊體以獲得足夠的溫度差。誤差來源：熱板/冷板中的樣品沒有很好的進行保護，存在一定的熱損失。測溫元件是熱電偶，將熱板/冷板間隙的界面影響都計算在內(nèi)。第一個誤差來源令這個方法不適合導熱系數(shù)>2W/mK的樣品，熱損失太大，而且溫度越高，誤差越大。第二個誤差來源實際是將接觸熱阻也計算在內(nèi)，溫度差偏大，因此實際測得的導熱系數(shù)偏低。另外，這一方法只能提供導熱系數(shù)的數(shù)據(jù)，精度為5%。

2. 激光散光法(Laser Flash)
　瞬態(tài)法，其原理是一束激光打在樣品上表面，用紅外檢測器測下表面的溫度變化，實際測得的數(shù)據(jù)是樣品的熱擴散率，通過與標準樣品的比較，同時得到樣品的密度和比熱，通過Cp=λ/H, H----熱擴散系數(shù)，m2/s;λ----導熱系數(shù)，w/m·K;Cp----體積比熱，J/m3·K，并通過數(shù)據(jù)計算得到樣品的導熱系數(shù)。此測試方式優(yōu)點是快速，非接觸法，適合高溫，高導熱樣品，但不適合多層結(jié)構(gòu)、涂層、泡沫、液體、各向異性材料等。原因是激光法測試的是熱擴散率，數(shù)學模式建立在各向同性材料的基礎(chǔ)上，如為多層結(jié)構(gòu)、涂層，或樣品存在吸收/輻射，則測得樣品的比熱出現(xiàn)較大偏差。另外，還需要用其他方法測得密度，才能折算為導熱系數(shù)，增加了誤差的來源。通常，激光脈沖法精度為熱擴散率3%，比熱7%，導熱系數(shù)10%。

3、Hot Disk(TPS技術(shù))
  樣品尺寸：固體：直徑或邊長大于2mm，厚度大于0.5mm(2個一模一樣)，樣品可以為不規(guī)則形狀，只要上下表面平整即可；導熱系數(shù)范圍: 0.005―500 W/mK 。溫度范圍: 室溫 ― 700°C，測試原理：瞬變平面熱源技術(shù)（TPS），測試模塊：基本、薄膜、平板、各向異性、單面、比熱。探頭尺寸：2-29.40 mm 。

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