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基于DARPA ICECool項目，洛·馬公司研制出內嵌芯片級微流體散熱通道冷卻板 早在2012年6月，美國國防預研計劃局（DARPA，翻譯里面還是要突出“預研”的）就發布了一份關于ICECool項目第一階段的廣泛機構公告(DARPA-BAA-12-50)，當時稱為“芯片內/芯片間增強冷卻”ICECool基礎，旨在為軍用電子設備探索革命性熱管理技術，幫助設計師大幅削減電子產品的大小、重量和功耗(SWAP)。  2012年，DARPA發布的關于ICECool項目第一階段的廣泛機構公告 僅僅半年后，DARPA在2013年2月7日于弗吉尼亞州阿靈頓向行業發布關于ICECool項目第二階段的詳細信息。這次發布會重點關注ICECool應用，還包括ICECool的視頻演示（現在居然找不到這個視頻了）。在這場發布會上，DARPA表示ICECool應用項目的目標是加強國防電子設備性能，使RF MMIC和高性能嵌入式計算板的熱流密度達到1千瓦/平方厘米，熱能密度達到1千瓦/立方厘米。總體來說，該項目旨在將芯片內/芯片間微流體冷卻技術和芯片上熱傳導技術應用到RF MMIC和功能強大的嵌入式計算板。  ICECool項目的藝術假想圖 從本質上講，DARPA視冷卻技術與其他芯片設計技術同等重要，使用嵌入式熱管理可以提高軍用電子設備的性能。DARPA表示，在芯片集成對流或微流體冷卻技術非常有潛力，可以加快先進芯片集成的技術革新。  使用嵌入式熱管理可以提高軍用電子設備的性能（洛·馬公司圖片） 而就在上周的三八國際婦女節，洛克希德·馬丁公司就宣布其在國防預研計劃局（DARPA）ICECool項目的支持下，研制出了微流體散熱片，尺寸僅為250微米厚、5毫米長和2.5毫米寬，所含冷卻水量不足一滴，但已足夠冷卻最熱的電路芯片，這將有望提高電子、雷達以及激光器的功率和性能。  洛·馬公司的微冷卻器被設計為可集成到最緊湊的電子系統。它只有250微米厚，5毫米長，2.5毫米寬。 當今最先進的各種系統由數以千計的電子元件構成，如果沒有創新的冷卻技術，這些系統就會由于散熱問題而無法正常工作。洛克希德·馬丁公司正在與DARPA的微系統技術辦公室（MTO）就其IceCool應用的研究項目展開合作，這項研究可能最終實現一種更輕便、更快速并且更便宜的方式來冷卻高功率的微芯片，即利用通過利用細微的水滴來冷卻芯片。該技術已經應用于電子作戰、雷達、高性能計算機和數據服務器。  由洛·馬公司研制的這款可能是世界上最小的液體冷卻板，是DARPA的IceCool計劃的一部分。微冷器所含冷卻水量不足一滴，但能夠在瞬間冷卻最熱的電子芯片。 洛克希德·馬丁公司的工程師組成的核心團隊正在開發一種能夠滿足IceCool項目目標的產品，能夠提升射頻（RF）MMIC功率放大器以及嵌入式高性能計算系統的性能，通過芯片級的散熱性能和高性能嵌入式計算系統技術。洛·馬公司實驗證明其微流體冷卻方法將可以減少四倍的熱阻和相比于常規冷卻技術六倍的冷卻效果，可提高RF輸出功率的有效性。  Denise Luppa，洛·馬公司負責參與IceCool計劃開發微流體散熱片的三八紅旗手 使用當前的技術，我們可以投入微芯片功率是有限的，其中一個最大的挑戰就是散熱問題。如果可以有效控制散熱，就可以使用較少的芯片實現相同的功能，這意味著采用更少的材料，即節省成本，并減少系統的尺寸和重量。或者使用相同的芯片數量，如果能夠有效控制散熱問題，就可以使得系統獲得更高的性能。  IceCool芯片的設計概念 IceCool項目的第一階段，洛·馬公司驗證了嵌入式微流體冷卻方法的有效性。芯片平均散熱能力達到1KW/cm2，多個局部熱點的散熱能力達到30KW/cm2，大約是常規芯片所產生熱量密度的4~5倍。  IceCool芯片內處理的設計概念 該項目的第二階段，團隊已經將重點轉移到冷卻高功率的RF放大器，來驗證通過改善散熱控制能夠有效提升性能。利用IceCool的技術，團隊證實了，能夠使一個給定的RF在輸出功率增加6倍的情況下，依然能夠保持比傳統冷卻的相同器件的溫度還要低。  IceCool芯片間處理的概念 在其不斷努力以從實驗室轉移該技術到應用領域，洛克希德·馬丁公司正在開發一個功能齊全的、微流冷卻的、發射天線原型，以增加該技術的可讀指數（TRL）。這將為未來電子系統的可能性插件打下基礎。  洛·馬公司的這張圖片標語很有意思：“發熱的電子？只需要加水：）” 洛克希德·馬丁公司正在與Qorvo合作，嘗試將其技術與Qorvo的高性能氮化鎵處理器進行整合，這將有助于通過消除目前散熱對氮化鎵半導體性能的影響。洛克希德·馬丁公司的技術也適用于其他一些應用，如現有砷化鎵（GaAs）和未來的金剛石基氮化鎵（GaN）器件應用。  Qorvo的13.4 - 16.5 GHz 12 Watt高性能氮化鎵處理器 洛克希德·馬丁公司的IceCool嵌入式散射管理辦法可以通過消除熱屏障來控制GaN的全RF功率處理能力。除了可以給氮化鎵功率放大器的應用帶來革命性改進，這一技術可應用于任何高熱流密度的集成電路，包括信號處理和高性能計算。感謝編譯述評：中國電科 陳志宏 工信部電子情報所 唐旖濃 |
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