來源:中國新通信

摘要：本文介紹了一種基于大功率低頻功率放大器集成度高、大功耗器件使用和產(chǎn)品體積小型化的特點，采用液冷冷卻方式的設(shè)計方案。這種設(shè)計方案有效地解決了大功率放大器空間小、熱源集中、散熱量大的問題，使低頻功率放大器能夠可靠地工作。經(jīng)過樣機測試，結(jié)果顯示液冷散熱能夠滿足大功率低頻放大器的散熱需求，表現(xiàn)出好的效果。這是一個非常實用和有效的技術(shù)，值得在實際應(yīng)用中進一步推廣和應(yīng)用。

關(guān)鍵詞：低頻功率放大器；熱源模型；熱分析；熱測試

一、引言

目前低頻通信領(lǐng)域內(nèi)大功率發(fā)信機普遍使用強迫風冷作為主要的散熱方式，其設(shè)計思路簡單、易于實現(xiàn)，但表現(xiàn)出傳統(tǒng)強迫風冷方式的散熱效率低、散熱器體積龐大、噪聲大、可靠性差等缺點，無法滿足高功率密度、大耗散的設(shè)備冷卻需求。大功率低頻發(fā)信機整機內(nèi)部設(shè)備種類多、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積龐大，發(fā)熱器件眾多且發(fā)熱量大，發(fā)信機能否有效散熱對發(fā)信機長時間可靠工作具有重大意義。本論文通過理論計算和樣機測試方式，對低頻功率放大器進行器件布局設(shè)計、液冷板設(shè)計、液體流量設(shè)計，以改善和提高其散熱效果及效率，從而實現(xiàn)功率放大器的小型化改進。

二、低頻功率放大器電路及熱結(jié)構(gòu)設(shè)計

（一）低頻功率放大器主電路拓撲及功放器件的選擇

低頻功率放大器電路形式采用經(jīng)典的“H”橋開關(guān)電路形式，通過直流高壓的調(diào)整達到輸出功率的變化，滿足技術(shù)指標中功率可調(diào)整要求。主電路器件包括四個大功率場效應(yīng)管模塊，6個反向并聯(lián)的二極管模塊，2個電阻模塊。

場效應(yīng)管（MOSFET）適用于寬頻段、移頻狀態(tài)工作，可很好適應(yīng)阻性、容性、感性負載，符合低頻固態(tài)發(fā)信機特點，低頻功率放大器中的功率開關(guān)管選用大功率場效應(yīng)管（MOSFET）模塊，根據(jù)功放單元功率等級、效率需求，并經(jīng)過對大功率場效應(yīng)管（MOSFET）模塊的實際測試用低頻功率放大器選用型號為 APTM100UM45DAG 的大功率場效應(yīng)管（MOSFET）模塊作為其主要的功率開關(guān)器件。

（二）低頻功率放大器的熱設(shè)計要求

系統(tǒng)對低頻功率放大器的熱設(shè)計要求如下：

①全頻段穩(wěn)定輸出功率≥ 30kW；

②全頻段 η ≥ 95%；

③滿足系統(tǒng)小型化要求，結(jié)構(gòu)緊湊，充分利用盒體空間；

④保證設(shè)備內(nèi)部溫度分布均勻，各關(guān)鍵元器件均能正常穩(wěn)定長期工作；

⑤冷卻水入口溫度 T1 為 25℃時，出水溫度要求T2 ≤ 40℃。

（三）低頻功率放大器熱結(jié)構(gòu)設(shè)計

1.總體結(jié)構(gòu)設(shè)計

低頻固態(tài)發(fā)信機功率容量達到兆瓦級，由許多低頻功率放大器同時工作輸出，因此需要整體考慮功率放大器的結(jié)構(gòu)，以滿足多個功率放大器同時工作要求。整體結(jié)構(gòu)設(shè)計單個功率放大器采用非標 3U 插箱式結(jié)構(gòu)，再由一定數(shù)量的功率放大器組成一個機柜，最后由多個機柜組成發(fā)信機的功率放大部分。低頻功率放大器插箱總體尺寸為長606 mm×寬637 mm×高132.5 mm。低頻功率放大器機箱均為鋁合金材質(zhì)，內(nèi)部所有結(jié)構(gòu)件均為銅、鋁材質(zhì)，機箱盒體采用2 mm 厚的鋁合金（LF2-M）折彎焊接加工而成。其中內(nèi)部組件主要有主放大電路、散熱裝置 1 套、數(shù)字保護驅(qū)動單元 4 個、指示電路 1 個、銅質(zhì)連接板若干、電感電容器等其他元器件若干組成。除上述結(jié)構(gòu)設(shè)計外，還需要考慮到整個功率放大器的散熱以及安全保護等方面的設(shè)計。

2.低頻功率放大器冷卻方式的選擇

電子設(shè)備熱設(shè)計時冷卻方法的選擇主要依據(jù)電子設(shè)備的熱流密度、體積功率及溫升。低頻功率放大器的機箱外殼均采用導(dǎo)熱系數(shù)良好的鋁作為主要材質(zhì)，其內(nèi)部組件產(chǎn)生的熱量一部分自然散熱通過機箱側(cè)壁的散熱孔向機箱外排出，另一部分由主放大電路產(chǎn)生的熱量通過 散熱裝置向機箱外排出。低頻功率放大器中的內(nèi)部組件如數(shù)字驅(qū)動保護單元、指示電路等所產(chǎn)生的熱量相對于主放大電路而言很小，通過自然散熱即可滿足其工作要求，可以不考慮強制散熱。作為低頻功率放大器中的關(guān)鍵熱源主放大電路主要包括4個 MOSFET 場效應(yīng)管模塊、6個二極管模塊、2個電阻模塊。

功率放大器耗散功率的計算主要是對 MOSFET 場效應(yīng)管模塊的耗散功率進行計算，而對于二極管模塊以及電阻模塊，它們的平均功耗較小，按照相關(guān)方面使用經(jīng)驗對其進行適當?shù)墓浪慵纯伞τ?nbsp;MOSFET 場效應(yīng)管模塊，計算其在最大工作頻率滿功率工作時最大直流輸入電壓 Uin=450V下的耗散功率，通過電路設(shè)計在最大輸入電壓為Uin=450V 時，直流輸入電流為 Iin=70A，直流輸入功率Pin=VI=450×70=31.5kW。

MOSFET 場效應(yīng)管模塊的驅(qū)動損耗是由基極電阻引起的，驅(qū)動電流很小，所以驅(qū)動損耗常忽略不計。通過對 APTM100UM45DAG 型場效應(yīng)管模塊的相關(guān)工作曲線的查閱得到，當其在最高工作頻率最大直流輸入電壓Uin=450V 時，其漏源通態(tài)電阻RDS(ON)=95mΩ、開通時的能量損耗 Eon=4mJ、關(guān)斷時的能量損耗 Eoff=2mJ、工作結(jié)溫 Tj =75℃。因此 APTM100UM45DAG 型場效應(yīng)管模塊的通態(tài)損耗 Pcond 為：

由 MOSFET 場效應(yīng)管的工作特性可知每只 MOSFET的通態(tài)損耗基本一致，開關(guān)損耗按其進行合理的統(tǒng)一化即設(shè)定 4 只 MOSFET 場效應(yīng)管模塊的開關(guān)損耗相同。綜上所述，單只 MOSFET 場效應(yīng)管模塊的最大耗散功率為 226W。考慮到 MOSFET 場效應(yīng)管外圍電路及連接線等損耗，對于電子元器件的計算需散熱的功耗適當增大，對于單只 MOSFET 場效應(yīng)管模塊的最大耗散功率取300W。

根據(jù)對主放大電路中各關(guān)鍵元器件樣本資料的查閱以及對二極管模塊和電阻模塊功耗的估算，總結(jié)得出主要關(guān)鍵器件功耗及其他相關(guān)參數(shù)表如表 1 所示。

由表 1 計算可得，主放大電路的總功耗約為 2kW （考慮留有 20% ～ 30% 的設(shè)計余量）。根據(jù)電路設(shè)計， 對主放大電路中各器件進行排布后，主放大電路所占空間大小約 36.5cm×27.55cm×2.6cm，體積功率密度：ФV=ψ/V=2000/(36.5×27.55×2.6)=0.756W/cm3 ，熱流密度：?=2000/2/(36.5×27.55+36.5×2.6+27.55×2.6)=0.85W/cm2 。

為保證主放大電路內(nèi)關(guān)鍵器件的可靠穩(wěn)定工作，要求環(huán)境溫差不超過 15℃，根據(jù)一般的電子設(shè)備，溫升、熱流密度、冷卻方式關(guān)系 , 并結(jié)合密封的電子設(shè)備當溫升不超過 40℃時，熱流密度和體積功率與冷卻方法的對應(yīng)關(guān)系 , 考慮設(shè)備研發(fā)制造的可靠性、經(jīng)濟性等因素以及系統(tǒng)總體對設(shè)備在實際輸出功率、散熱效率、穩(wěn)定性及噪聲的要求，最終選擇強迫液冷作為低頻功率放大器主要的散熱方式。

3.低頻功率放大器液冷設(shè)計

低頻功率放大器的液冷冷板基材選用鋁材 (Al6061)，管道材質(zhì)選用導(dǎo)熱率更高的銅材 ( 純銅 )，冷卻介質(zhì)選用最常用且散熱效果最好的水。根據(jù)電路設(shè)計的需求，選用矩形 S 形流道，將發(fā)熱量較大的大功率場效應(yīng)管模塊布局在流道正上方，其他模塊按照電路的連接關(guān)系進行依次排布。低頻功率放大器的液冷冷板及其上元器件安裝位置示意圖如圖 1 所示。

主放大電路板上各模塊的最佳工作溫度在25～50℃。將入口溫度 T1 設(shè)置為 25℃，出水溫度要求 T2 ≤ 40℃。已知液冷冷板內(nèi)流道的直徑為 9.5mm，冷板散熱功率Q為2kW。將冷板流體的平均溫度作為它的定性溫度 Tf=(T1+T2)/2=32.5℃。

流道橫截面積：

查表知在 32.5℃下，水的比熱容 Cp=4178J/(kg·K)，水的密度 ρ=995kg/m3 。

流體的流量：

流體的流速：

主放大電路中的各個元器件均為貼裝式安裝，面-面接觸時的接觸電阻主要受加工面的平面度、表面粗糙度以及面-面間導(dǎo)熱材料性能等因素有關(guān)，要對以上影響因素進行嚴格控制。

在大功率場效應(yīng)管模塊等元器件安裝時，不采用任何措施兩者之間會產(chǎn)生很大的接觸熱阻。本論文中選用導(dǎo)熱硅脂作為界面填充材料。在主放大電路中的各個元器件進行安裝時，先將元器件和冷板的貼裝表面清理干凈，避免有雜質(zhì)或者油污，之后在元器件的貼裝表面上均勻地涂抹一定厚度的導(dǎo)熱硅脂，再將元器件安裝在冷板上。

三、熱測試

本論文中的熱測試試驗，主要是模擬低頻功率放大器的工作環(huán)境，使其可以在各頻段正常輸出功率，在此條件下運用熱電偶溫度傳感器測試法以及紅外溫度測試法分別對低頻功率放大器液冷冷板的出水溫度及各個關(guān)鍵元器件的表面平均溫度進行熱測試，對冷卻方法的有效性進行評價。根據(jù)系統(tǒng)總體對低頻功率放大器在全頻段上工作穩(wěn)定可靠的要求，熱測試試驗需測試低頻功率放大器在各頻段下水冷板的散熱效果。

通過熱測試試驗發(fā)現(xiàn)，目前低頻功率放大器主放大電路及其水冷板的熱設(shè)計方案可以滿足系統(tǒng)總體的設(shè)計要求。但是個別元器件的平均溫度未在其最佳工作溫度25～50℃之間，通過仿真優(yōu)化在冷板材料、流體流速等方面以達到更加優(yōu)異的設(shè)計。

四、結(jié)束語

本論文對 30kW 低頻功率放大器進行了熱結(jié)構(gòu)設(shè)計和熱測試實驗， 建立了30kW低頻功率放大器的熱結(jié)構(gòu)，對低頻功率放大器主放大電路的主要熱源、散熱情況進行了計算分析，選擇液冷作為其主要散熱方式，并設(shè)計了液冷冷板，經(jīng)測試各項指標滿足要求。

標簽： 熱設(shè)計 液冷、數(shù)據(jù)中心等 點擊： 評論: