■ AlSiC具有高導熱率（180～240W/mK）和可調的熱膨脹系數（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的熱膨脹系數與半導體芯片 和陶瓷基片實現良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的熱導率是可伐合金的十倍，芯片 產生的熱量可以及時散發。這樣，整個元器件的可靠性和穩定性大大提高。
■ AlSiC是復合材料，其熱膨脹系數等性能可通過改變其組成而加以調整，因此產品可按用戶的具體要求而靈活地設計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統的金 屬材料或陶瓷材料無法作到的。
■ AlSiC的密度與鋁相當，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領域的應用。 ■ AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環境（震動較大，如航天、汽車等領域）下的首選材料。
■ AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。
■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進行陽極氧化處理。
■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。
■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。
■ AlSiC的物理性能及力學性能都是各向同性的。 使用AlSiC材料的意義
■ 可以使集成電路的封裝性能大幅提高，使用鋁碳化硅材料進行電子封裝，使封裝體與芯片的受熱膨脹相一致，并起到良好的導熱功能，解決了電路的熱失效問題；
■ 批量使用AlSiC材料，可以降低封裝成本。
■ 有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領域封裝技術水平，提高功能，降低成本，加快我國航天和軍工產品的先進化。例如，過去以可伐（Kovar） 材料作為器件封裝外殼的地方，如果換作鋁碳化硅外殼，重量就可減少為原來的三分之一，而導熱性能則增加為原來的十倍。 |
