據韓媒ZDNet Korea報道，三星電子正為其下一代移動處理器Exynos 2600引入HPB,技術，并搭配升級版FOWLP工藝，以應對嚴重的高性能芯片發熱問題。
這項技術預計將在今年底前完成品質驗證，最快明年上半年搭載于Galaxy S26系列中量產商用。HPB的全稱為Heat Path Block，據稱為一種超小型銅基高導熱材料，可與LPDDR DRAM內存一道作為封裝的一部分集成在處理器芯片的上方，與芯片頂部或側面相接觸，用于迅速將核心區域產生的熱量向外傳導。
這種模塊與DRAM等組件一體封裝不僅提升了熱擴散效率，還能控制封裝厚度和重量，對智能手機內部空間極其有限的散熱系統來說，是一種高度集成化的解決方案。
同時，為進一步提升散熱效率，Exynos 2600將采用升級版的FOWLP工藝。這種封裝方式通過將I/O接口直接置于硅片之外，在不使用基板的情況下實現更高的散熱效率和更緊湊的結構。
三星已經在Exynos 2400中使用過FOWLP，但HPB+FOWLP的組合還是首次出現。
此前有消息稱，由于1.4nm以下工藝節點的推進進度不及預期，三星Exynos 2600將繼續基于2nm工藝打造。因此，在后道工藝（如封裝與散熱）上的創新，就成為了彌補制程瓶頸、提升SoC綜合性能的重要手段。
來源：安兔兔
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