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          熱設計網

          貝思科爾|電子產品熱設計網絡直播技術研討活動|免費

          leonchen

          親愛的客戶:

          #沒有不可逾越的冬天,只有永不停歇的腳步#

          庚子鼠年,“平安健康”是貝思科爾給大家最真摯的2020祝愿。

          受新冠病毒疫情影響,貝思科爾決定取消原定于3月份舉辦的所有線下/現場活動,并同時舉辦更多的線上活動,為用戶帶來更方便的學習機會,所有的活動計劃將通過貝思科爾官網及微信公眾號發布。

          為中國加油,踐行行業使命,與客戶企業攜手共渡難關!

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          時間:2020年3月12日-3月19日

          費用:免費

          語言:中文

          參加方法:所有課程均通過網絡直播平臺進行在線分享,所有希望參加課程的客戶,請打開會議報名鏈接或掃描二維碼進行會議報名。課程開始,請通過報名的鏈接或二維碼直接加入會議即可。





          會議背景





          1、電子元器件的發熱問題對產品可靠性的影響在半導體(IC/功率半導體/LED)、汽車電子、能源和家電等行業體現得越來越突出,產業的上下游廠商對散熱問題的研究和試驗越來越深入;同時電子行業的工程師也正在面對多物理場仿真和多學科優化技術所帶來的挑戰。

          2、近年來,SiC器件作為第三代半導體器件中的焦點,具有寬帶隙、高擊穿電壓和高導熱率,并具有更高的效率、更低的耗散功率、更小的整體系統尺寸以及更高溫度運行的機會。對于SiC功率半導體而言,了解熱行為和可靠性都是至關重要的任務。

          3、為了及時跟蹤散熱仿真和測試技術的最新動態,本次課程中貝思科爾(BasiCAE)將聯合西門子中國,通過實際的案例對Simcenter MAD及相關產品線的詳細解決方案進行介紹。





          課程安排





          課程序號
          課程主題
          日期
          時間
          BC20200301
          多物理場仿真和多學科優化技術在電子行業的應用2020.3.12
          14:00-15:30
          BC20200302
          SiC 器件熱阻量測和功率循環案例分享2020.3.13
          14:00-15:30
          BC20200303
          基于T3Ster的Mosfet熱特性測試與建模校準最佳實踐2020.3.18
          14:00-15:30
          BC20200304
          高保真熱仿真體系建立與FloTHERM最新功能應用2020.3.19
          14:00-15:30





          課程內容





          課程1

          多物理場仿真和多學科優化技術在電子行業的應用
          課程序號
          BC20200301
          培訓日期
          2020.3.12(星期四)
          培訓時間
          14:00-15:30
          講師
          Zhao Daquan(Siemens)
          課程簡介

          1、Simcenter實現電子產品設計中的熱流固耦合分析

          2、HEEDS提高電子產品的多學科優化設計質量

          會議報名鏈接

          http://live.vhall.com/903577209

          注:電腦端請使用谷歌瀏覽器觀看培訓課程

          二維碼報名

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          課程2SiC 器件熱阻量測和功率循環案例分享
          課程序號BC20200302
          培訓日期2020.3.13(星期五)
          培訓時間14:00-15:30
          講師Alvin Hsu(Siemens)
          課程簡介

          近年來,第三代半導體器件正憑借其優越的性能和巨大的市場前景,成為電力電子器件在業界應用中的亮點。SiC器件作為第三代半導體器件中的焦點,具有寬帶隙、高擊穿電壓和高導熱率,并具有更高的效率、更低的耗散功率、更小的整體系統尺寸以及更高溫度運行的機會。但是SiC材料在帶隙中具有陷阱能級,其可以吸收和釋放電荷。這種電荷的捕獲和釋放發生在毫秒到秒的較寬的時間范圍內。在絕緣柵器件中,這些影響表現為時變閾值電壓漂移。因此如何在功率循環測試和瞬態熱測試中,采用有效的辦法克服這些影響,并獲得準確的結果,成為需要考慮的部分。

          本次課程將通過SiC熱阻測試案例進行介紹,并同步分享MicReD Power Tester的功率循環測試案例。

          會議報名鏈接

          http://live.vhall.com/433805210

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          二維碼報名

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          課程3基于T3Ster的Mosfet熱特性測試與建模校準最佳實踐
          課程序號BC20200303
          培訓日期2020.3.18(星期三)
          培訓時間14:00-15:30
          講師William(BasiCAE)
          課程簡介課程重點介紹MicRED T3Ster產品測試測量原理、功率半導體Mosfet熱特性測試測量方法、數據準確性判定依據、FloTHERM模型建立方法及模型校準方法,并通過相關實際案例講解對相關過程進行貫穿,最終達到學員系統了解半導體器件熱模型的測量、建模與校驗的方法。
          會議報名鏈接

          http://live.vhall.com/873322301

          注:電腦端請使用谷歌瀏覽器觀看培訓課程

          二維碼報名

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          課程4高保真熱仿真體系建立與FloTHERM最新功能應用
          課程序號BC20200304
          培訓日期2020.3.19(星期四)
          培訓時間14:00-15:30
          講師William(BasiCAE)
          課程簡介課程重點介紹企業熱仿真體系V&V技術開發方法、數據庫建立標準、核心數據庫測試&建模方法,并通過相關實際案例講解對內容進行貫穿,最終使學員系統了解企業熱仿真體系的建立方法。
          會議報名鏈接

          http://live.vhall.com/627891560

          注:電腦端請使用谷歌瀏覽器觀看培訓課程

          二維碼報名

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          會議加入方式




          1、在瀏覽器中輸入表格的會議報名鏈接地址或掃描二維碼報名,點擊“立即預約”,填寫相關信息完成報名;


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          2、完成報名后,在培訓時間開啟時,在谷歌瀏覽器輸入表格的會議報名鏈接地址或掃描二維碼,點擊“進入直播”即可觀看課程。





          會議注意事項




           

          1、在整個培訓期間,參會人員可以通過聊天區以文字形式將自己的問題發給主講人,會議助理將記錄所有的問題并由西門子原廠和貝思科爾工程師后續跟蹤答疑;

           

          2.、主講人的培訓時間約1個小時,之后有半個小時的答疑時間,主講人會將收集到的問題集中進行答疑;

           

          3、 在培訓期間,不要談論與發布與培訓無關的話題和內容,保持文明的課堂秩序;

           

          4、課件和視頻文件會在會后通過貝思科爾官方公眾號發布,請注意貝思科爾官方公眾號或聯系貝思科爾客戶經理獲取;

           

          5、請參會者自覺遵守以上注意事項,否則主持人有權將參會者移出會議室。


          注:貝思科爾為中國熱設計網會員,享有網站和公眾號推送文章的權益。


          感謝閱讀




          報名培訓,參與/贊助技術交流會,加入會員,申請加入熱設計平臺顧問團、加入QQ群、微信群以及其它各類熱管理行業相關合作事宜,請掃碼添加熱設計網客服微信。

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